고효율 6Gb 모바일 D램, SK하이닉스 세계 첫 개발

  • 동아일보
  • 입력 2013년 10월 31일 03시 00분


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SK하이닉스는 6Gb(기가비트) 모바일 메모리반도체인 ‘LPDDR3’(사진)을 개발했다고 30일 밝혔다. 20나노급 기술을 적용해 개발된 이번 제품은 차세대 고사양 스마트폰에 적용될 수 있도록 고용량이지만 전력 소모가 적은 특성을 갖췄다.

6Gb LPDDR3을 4단으로 쌓으면 최근 ‘갤럭시 노트3’ 등 최신 스마트폰에 적용된 3GB(기가바이트·24Gb)의 고용량 모바일 D램을 한 패키지로 제공할 수 있다. 이 경우 기존 4Gb 제품을 6단으로 쌓은 것과 비교했을 때 대기 전력 소모는 30% 정도 줄어들고 두께도 확연히 얇아진다. 또 초저전압인 1.2V에서 작동하기 때문에 모바일 기기에 적합하다. SK하이닉스는 이 제품을 고객사에 샘플 형태로 공급하기 시작했으며 내년 초 양산을 목표로 하고 있다.

이에 앞서 SK하이닉스는 6월 세계 최초로 8Gb LPDDR3을 개발한 바 있다. SK하이닉스는 당초 발표했던 대로 8Gb LPDDR3은 연내에 양산할 계획이다. SK하이닉스 관계자는 “8Gb에 이어 6Gb LPDDR3도 개발에 성공함에 따라 제품의 포트폴리오를 다양화해 급속히 진화하는 모바일 시장에 적극 대응하겠다”고 설명했다.

김지현 기자 jhk85@donga.com
#SK 하이닉스#모바일 램#메모리 반도체
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