1기가 D램 시대 열렸다…삼성전자 신기술 개발

삼성전자가 1기가D램의 상용화를 앞당길 수 있는 획기적인 반도체 회로선폭 기술 개발에 성공했다. 삼성전자는 18일 지난달 미국 하와이에서 열린 제20회 초고집적 반도체(VLSI·Very Large Scale Integration) 심포지엄에서 ‘회로선폭 0.11㎛(1㎛〓100만분의 1m)의 1기가D램 상용화 기술’을 발표했다고 밝혔다.

회로선폭은 반도체 재료인 웨이퍼에 새겨지는 회로의 두께로 선폭이 미세할수록 반도체의 집적도를 높일 수 있기 때문에 전세계 반도체업계는 회로선폭 미세화 경쟁을 벌이고 있다.

지금까지 1기가D램 반도체를 상용화하기 위해선 0.10㎛ 이하의 공정 기술을 적용해야만 가능한 것으로 알려져 왔다. 그러나 이번에 삼성이 0.11㎛의 회로선폭 기술로 1기가D램을 생산하는 기술을 개발하면서 기존 설비를 교체하지 않고 1기가D램을 양산하는 게 가능해졌다. 삼성전자측은 이에 따라 1기가D램에 필요한 신규 설비 투자 금액이 획기적으로 줄어들어 당초 2002년 상반기로 예정된 1기가D램의 양산을 앞당길 수 있게 됐다고 설명했다. 지금까지 발표된 가장 미세한 회로선폭 기술은 0.12㎛. 삼성전자는 이미 이 기술을 이용해 올해 4월 회로선폭 0.12㎛의 512메가D램 상용 제품을 세계 최초로 발표했다.

81년부터 개최된 VLSI 심포지엄은 인텔 NEC IBM 도시바 등이 참여하고 있는 세계적인 권위의 반도체 관련 국제회의다.

<홍석민기자>smhong@donga.com