하이닉스가 20nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)급 낸드플래시 반도체(사진)를 개발했다. 하이닉스는 20nm급 기술을 적용한 64Gb(기가비트) 제품 개발에 성공했다고 9일 밝혔다. 지난해 8월 30nm급 32Gb 낸드플래시를 개발한 지 6개월 만이다.
하이닉스 박성욱 연구소장(부사장)은 “이 제품은 30nm급에 비해 2배 가까이 생산성이 높아져 업계 최고 수준의 원가경쟁력을 확보할 수 있게 됐다”고 설명했다. 하이닉스는 이 제품을 올해 3분기(7∼9월)부터 양산하고 낸드플래시 전용 청주공장에 올해 1조 원을 투자해 생산 능력을 두 배로 늘릴 계획이다.
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