[기업]삼성전자, 내년 반도체부문 대규모 투자 않기로

삼성전자는 내년에 반도체 부문에 대규모 투자를 하지 않는 대신 기존설비를 보완하고 미세회로 공정기술 적용대상을 주요 라인으로 넓혀 생산원가를 낮추는 데 힘을 쏟기로 했다.

26일 삼성전자에 따르면 현재 256메가 D램 등 일부 생산라인에 적용하고 있는 0.12㎛(마이크로미터·1㎛〓100만분의 1m)의 미세회로 공정기술을 내년 상반기에는 주요 라인으로 넓히는 등 첨단공정기술을 이용해 생산량을 늘릴 방침이다. 또 주력 미세회로 공정기술을 올해 0.15㎛에서 내년엔 0.12㎛로 바꿔 본격적인 0.12㎛시대를 열 방침이다. 삼성전자는 올해 30%로 추정되는 D램 세계시장 점유율을 내년에도 같은 수준으로 유지하고 올해 25% 수준인 S램 점유율은 내년엔 30%로, 현재 35%인 데이터저장용(NAND) 플래시메모리 점유율은 50%로 각각 늘린다는 계획을 세웠다.이와 함께 그래픽 메모리와 램버스 D램 등을 개발해 경쟁업체와 제품을 차별화한다는 방침이다.

<최영해기자>yhchoi65@donga.com