삼성전자, 50nm급 4기가 DDR3 D램 첫 개발

전력소비 40%이상 줄여

삼성전자가 세계 최초로 50nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)급 공정을 적용한 4Gb(기가비트) DDR3 D램(사진)을 개발했다고 29일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 9월 50nm급 공정 2Gb DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어 5개월 만에 용량이 2배인 제품을 내놓았다.

용량이 커지면 제조원가도 줄지만 모듈을 만들 때 적은 수의 D램 단품을 써도 되기 때문에 전력 소모가 줄어든다. 예컨대 16GB(기가바이트) D램 모듈(독자적 기능을 갖고 교환 가능한 구성요소)을 만들 때 2Gb D램은 72개가 들어가지만 4Gb D램은 36개면 충분해 40% 이상 전력 소비를 줄일 수 있다.

삼성전자 관계자는 “데이터센터처럼 많은 서버급 컴퓨터가 쓰이는 곳에서 저전력 메모리를 탑재하면 전기료뿐 아니라 열 방출 장비나 전력공급 설비의 설치, 유지, 보수비용을 줄이고 공간도 절약할 수 있는 장점이 있다”고 설명했다.

홍석민 기자 smhong@donga.com