[기업]차세대 반도체 '세계대전'…삼성 등 F램 경쟁 본격화

세계 메모리반도체 시장의 주력 제품인 D램을 이을 차세대 메모리 개발 경쟁이 본격화하고 있다.

27일 반도체업계에 따르면 기억 소자(Capacitor)를 실리콘이 아닌 강(鋼)유전체 등 새로운 물질로 만든 F램, M램, P램 등이 차세대 메모리로 떠오르고 있어 앞으로 2, 3년 안에 본격적으로 시장이 형성될 전망이다.

이에 따라 인텔 삼성전자 도시바 등 세계 주요 반도체 회사는 물론 IBM 모토로라 텍사스인스트루먼트(TI) 등 일반 정보기술(IT) 업체도 개발 경쟁에 뛰어들었다.

새로운 메모리 제품들은 기존 D램의 고(高)집적도와 S램의 고속력, 플래시메모리의 비휘발성(전원이 꺼져도 정보가 지워지지 않는 성질) 등 다양한 메모리 제품의 장점을 취할 수 있는 특성을 갖고 있다.

이에 따라 휴대전화 개인휴대정보단말기(PDA) 스마트폰 스마트카드 등 멀티미디어 모바일 제품에 적합한 메모리로 평가돼 각 회사의 개발경쟁이 치열하다. 특히 F램은 내년부터 본격적인 시장이 형성돼 2004년 33억달러, 2008년에는 267억달러 규모가 될 것으로 관련업계는 보고 있다.

삼성경제연구소 조용권 수석연구원은 “차세대 메모리는 기존 메모리를 뛰어넘는 특성을 갖고 있어 2005년 이후 시장이 급속히 커질 것”이라면서 “차세대 메모리 개발 여부에 따라 삼성전자 마이크론 하이닉스 인피니온 등 기존 메모리 업계의 판도도 상당부분 달라질 것”이라고 전망했다.

세계적으로 TI 삼성전자 후지쓰 램트론 등이 아직 K비트급에 머물고 있는 F램의 고집적 개발 경쟁을 벌이고 있다. 또 IBM과 모토로라는 고급 제품에 쓰일 것으로 예상되는 대용량 M램 개발을 선도하고 있다.

올들어 반도체사업부 안에 ‘차세대 연구팀’을 발족해 차세대 메모리 개발에 박차를 가해온 삼성전자는 세계 최초로 모바일용 32메가비트(Mb) F램 개발에 성공했다고 최근 발표했다.

삼성전자 차세대 연구팀장인 김기남(金奇南) 상무는 “차세대 메모리는 아직 집적도가 낮고 새로운 소재에 대한 고객의 신뢰를 확보하지 못한 단점이 있다”면서 “삼성은 이미 F램에 대해서는 집적도를 높이고 신뢰성을 확보하는 방안을 마련해 상용화를 추진 중”이라고 말했다.

새로운 소재의 제품 외에 플래시메모리도 매년 50∼80%씩 시장이 성장하고 있다. 또 기존의 다양한 메모리 제품들을 50㎚(나노미터) 이하의 미세 공정으로 처리하는 나노 트랜지스터의 개발경쟁도 갈수록 치열해지고 있다.

차세대 반도체 주요 제품들
이 름	특 성	주요 개발업체
F램	강유전체메모리(Ferroelectric RAM),비휘발성 저전압 저전력 대용량 고속동작	TI 후지쓰 램트론 삼성전자
M램	고체자기 메모리(Magnetic RAM), 비휘발성, 대용량, 고속동작	IBM 모토로라 삼성전자
P램	위상 메모리(Phase RAM), 비휘발성, 고속동작	삼성전자 등
나노 트랜지스터	D램 플래시메모리 등을 50나노미터 이하로 고집적	인텔 삼성전자
플래시메모리	비휘발성, 휴대전화 디지털미디어 등에 활용중	인텔 AMD 도시바 삼성전자

자료:전자업계

신연수기자 ysshin@donga.com