세종대는 홍석륜 물리학과 교수(그래핀연구소 소장·사진)가 미국 텍사스대 조경재 교수 연구팀과 공동으로 새로운 형태의 소자인 ‘이온 배리스터(ionic barristor)’ 모델에 대한 특허를 출원했다고 9일 밝혔다. 이 모델의 경우 반도체 업계에서 차세대 물질로 주목받는 그래핀과 전이금속 디칼코게나이드계 화합물(TMDs)의 접합을 이용했다는 점에서 의미가 있다. 이번 연구는 미래창조과학부가 지원하는 나노·소재기술개발사업 중 하나로 수행됐으며 연구 결과는 미국화학회에서 발간하는 나노기술 분야 권위지인 나노레터(NanoLetters) 온라인판에 지난달 게재됐다. 홍 교수는 “전계효과 트랜지스터나 다른 혁신 소자 응용에 촉매제가 될 것으로 기대한다”고 말했다.
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