세계 최고속 트랜지스터 국내 개발

  • 입력 2007년 12월 12일 03시 01분


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지금까지 시장을 주도해 온 일본 제품보다 크기는 작고 성능은 더 우수한 트랜지스터가 국내에서 개발됐다.

서울대 서광석 교수팀은 11일 ‘과학기술부 테라급나노소자개발사업단’의 지원을 받아 세계에서 가장 빠른 화합물 트랜지스터를 개발했다고 밝혔다. 서 교수팀이 개발한 이 트랜지스터는 전자가 오가는 관문 역할을 하는 게이트 길이를 일본 제품보다 10nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 짧은 15nm로 줄였다. 또 동작 속도도 약 50GHz 향상된 610GHz까지 끌어올려 기술적으로 종전 제품보다 앞섰다.

연구팀은 이를 이용하면 계산 속도가 10배 빠르고, 전기는 10분의 1 정도만 쓰는 전자부품의 제조가 가능할 것으로 내다봤다. 이번 연구결과는 11일 미국 워싱턴에서 열린 ‘국제전자소자회의’에서 해외 과학자들에게 소개됐다.

박근태 동아사이언스 기자 kunta@donga.com

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