SK하이닉스는 글로벌 인공지능(AI) 메모리 선도 기업으로 자리 잡았다. SK하이닉스의 가장 큰 무기는 바로 기술력이다. SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)와 LPDDR6 등 차세대 메모리 분야에서 세계 최고 수준의 기술을 확보하고 있다. 이 때문에 AI 서버와 데이터센터 수요가 폭발적으로 증가하는 현 시장에서 핵심 공급자가 됐다.
SK하이닉스는 AI용 초고성능 메모리인 HBM의 선두 주자로 자리매김했다. 세계 최초로 HBM을 개발한 SK하이닉스는 4세대 HBM인 HBM3와 5세대 HBM3E는 물론 6세대 HBM4에서도 업계 최고 수준의 경쟁력을 입증했다. 양산 체제를 구축한 HBM4는 11Gbps(초당 기가비트)를 넘는 속도가 나오면서 SK하이닉스는 이미 주요 고객들과 2026년 HBM 공급 협의를 완료했다.
범용 메모리 분야에서도 세계 최고 수준 기술력을 갖추고 있다. SK하이닉스는 2024년 8월 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 ‘16Gb DDR5’ D램 개발에 성공했다. 최근엔 ‘1c 16Gb LPDDR6’ D램을 세계 최초로 개발했다.
SK하이닉스는 이 같은 성과의 배경에 파트너들과의 기술 협업이 작용한 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 엔비디아와 HBM 협력뿐 아니라 디지털 트윈 등을 활용해 AI 제조 혁신에 나섰다. 오픈AI와는 고성능 메모리 공급을 위한 장기 협력을 진행하고 있다. TSMC와는 HBM4 베이스 다이 등과 관련해 협업하고 있다.
SK하이닉스는 차세대 메모리 제품 개발에 나서 앞으로 AI 메모리 라인업을 더욱 강화할 예정이다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 ‘SK AI 서밋 2025’에서 커스텀 HBM, AI D램(AI-D), AI 낸드(AI-N)를 새로운 메모리 방향성으로 제시한 바 있다. 커스텀 HBM은 고객의 요청 사항을 반영해 그래픽처리장치(GPU), 주문형 반도체(ASIC)에 있던 일부 기능을 HBM 베이스 다이로 옮긴 제품이다. 데이터 처리 성능을 극대화하고 HBM 통신에 필요한 전력을 줄여 시스템 효율을 개선할 수 있다. 회사는 D램도 더 세분화해 개발에 나설 예정이다.
미래를 위한 투자도 계속하고 있다. SK하이닉스는 차세대 HBM 생산을 위해 미국 인디애나주에 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고 현지 연구기관과 협력에 나선다. 지난해 10월 청주 ‘M15X’의 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작했다. 경기 용인시에 짓고 있는 415만 ㎡ 부지의 용인 반도체 클러스터도 건설 공기 단축에 나섰다.
SK하이닉스 관계자는 “향후에도 지속적인 차세대 기술, 제품에 대한 과감한 투자와 더불어 생산기지에 대한 차질 없는 준비를 할 것”이라고 말했다.
댓글 0