하이닉스 “日도시바와 M램 공동개발”

2014년 상용화… R램 개발 삼성과 차세대 메모리 경쟁 본격화

세계 2위 반도체 회사인 하이닉스가 3위 일본 도시바와 차세대 메모리 반도체인 ‘STT-M램’에 대한 공동 개발과 합작사 설립 및 공동생산 계약을 체결했다고 13일 밝혔다.

하이닉스 관계자는 “도시바가 가진 M램의 기술경쟁력과 하이닉스의 D램 메모리 반도체 제조 기술이 시너지를 발휘할 것”이라고 말했다. 두 회사는 양사 공동 개발로 M램의 상용화 시기를 2014년까지 앞당기겠다는 목표를 세웠다. 공동 개발한 M램은 두 회사의 합작사에서 생산한다.

M램은 D램 등 종전의 기억소자가 전기를 축적해 정보를 기억하는 것과는 달리 자기를 이용해 정보를 기억하는 새로운 형태의 기억소자다.

하이닉스 권오철 사장은 “M램은 처리속도가 빠르고 전력 소비가 낮아 새로운 모바일 기기 시대에 적합하다”며 “향후 고성능 작업을 수용할 수 있는 ‘메모리 신성장 시대’에 최적화된 제품”이라고 말했다.

최근 차세대 메모리 반도체 기술 경쟁이 본격화되는 추세다. 기존 D램과 플래시메모리는 집적도 경쟁에서 물리적 한계가 가까워진 데다 가격도 계속 떨어지고 있어 신개념 메모리 반도체에 대한 관심이 뜨겁다. 특히 7월에 20나노 D램을 양산하겠다고 밝힌 일본 엘피다가 13일 1조 원 규모의 대규모 자금 조달 계획을 밝히는 등 국내 업체들을 위협하고 있어 삼성 하이닉스 등은 차세대 시장 대비를 서두르고 있다.

하이닉스에 앞서 삼성전자는 1조 번 이상 쓰고 지우기를 반복할 수 있을 정도로 오래 쓸 수 있는 R램 기술을 개발했다고 12일 밝혔다. 기존 플래시메모리보다 수명은 100만 배 길고, 쓰기와 읽기 속도는 1000배 빠른 획기적인 기술이다. 세계 메모리 반도체 1위 삼성전자는 종합기술원을 통해 R램뿐 아니라 M램 P램 등 다양한 차세대 메모리를 개발하고 있다.

이 중 P램은 삼성전자가 세계 최초로 휴대전화 제조사에 기존 노어플래시 대체용으로 팔아 양산화에 성공했다. 차세대 메모리 반도체인 M램 R램 P램의 공통점은 D램의 빠른 처리속도와 플래시메모리의 전원이 꺼져도 정보를 저장해 두는 기능을 갖췄다는 점이다.

김현수 기자 kimhs@donga.com