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2007학년도 대학입시 : 우리 대학 이렇게 뽑아요
[화제주분석]주성엔지니어링
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2009-09-22 00:20
2009년 9월 22일 00시 20분
입력
2000-10-18 18:37
2000년 10월 18일 18시 37분
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반도체주 폭락에도 불구하고 강세. 삼성전자와 공동으로 기가D램급 이상 소자의 금속확산 방지막과 금속전극용으로 채택될 Tisi(N) 및 TaN 증착장치를 개발한다는 소식이 주된 원인. 회사측은 “현재까지 TaN막 증착에 성공한 기업이 없어 이번 공동개발이 성공하면 메모리 및 로직 분야에서 차별화된 시장지배력을 유지할 것”이라고 밝혔다.
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