[화제주분석]주성엔지니어링

  • 입력 2000년 10월 18일 18시 37분


반도체주 폭락에도 불구하고 강세. 삼성전자와 공동으로 기가D램급 이상 소자의 금속확산 방지막과 금속전극용으로 채택될 Tisi(N) 및 TaN 증착장치를 개발한다는 소식이 주된 원인. 회사측은 “현재까지 TaN막 증착에 성공한 기업이 없어 이번 공동개발이 성공하면 메모리 및 로직 분야에서 차별화된 시장지배력을 유지할 것”이라고 밝혔다.

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