[IT비즈파일]하이닉스 512메가 DDR SD램 개발

하이닉스반도체는 0.10㎛(마이크로미터) 초미세 회로선폭 기술을 사용한 512메가 DDR SD램을 개발했다고 29일 밝혔다. 골든칩으로 불리는 0.10㎛급 제품은 기존 0.13㎛급 장비를 그대로 쓰므로 투자비용을 반으로 줄이고 웨이퍼 당 칩 생산량은 40% 이상 늘려 준다.

하이닉스는 골든칩 기술을 적용한 512메가 DDR SD램을 연말부터 본격적으로 생산해 내년 상반기에는 256메가 및 1기가 DDR SD램도 양산할 계획이다.