삼성전자, 올해 14조5000억원 반도체시설 투자

작년보다 11% 늘어… 업계 최대

삼성전자가 올해 반도체 부문 시설투자에 125억 달러(약 14조5000억 원)를 투입할 것이라는 전망이 나왔다.

7일 시장조사업체 IC인사이츠에 따르면 삼성전자의 올해 반도체 부문 시설투자액은 작년보다 11% 늘어난 125억 달러 규모일 것으로 전망된다. 지난해 시설투자비는 113억 달러(약 13조1100억 원)였다. 메모리반도체와 시스템LSI의 투자 비중은 8 대 2 수준이었다. 삼성전자는 경기 평택시에 세계 최대 규모의 반도체 생산라인을 짓고 있다. 공장이 완공되면 올해 중반부터 메모리반도체의 일종인 V낸드플래시를 양산할 계획이다. 전자업계에서는 삼성이 반도체 시장 호황 예측에 맞춰 투자 규모를 늘린 것으로 보고 있다. 사물인터넷(IoT) 시장 확대와 고사양 디지털기기 출시가 잇따르면서 메모리반도체 수요가 크게 늘고 있다.

SK하이닉스는 올해 60억 달러(약 6조9600억 원)를 시설투자에 쓴다. 세계에서 네 번째로 많은 규모로 지난해의 51억8800만 달러(약 6조200억 원)보다 약 14% 늘어났다. 지난해 하반기(7∼12월) D램 시장이 성장세로 돌아선 데다 3차원(3D) 낸드 시장에도 적극 뛰어들면서 투자 규모를 늘릴 것이라는 분석이 제기된다. SK하이닉스는 우선 경기 이천의 차세대 D램 생산라인인 M14의 클린룸 구축과 관련 인프라에 대규모 투자할 집행한다. 1월 실적 발표 콘퍼런스콜에서는 3D 낸드플래시의 생산능력을 늘리겠다는 계획도 밝힌 바 있다.

반도체 업계 세계 1위인 인텔은 지난해보다 25% 늘어난 120억 달러(약 13조9200억 원)를 시설투자에 쓸 것으로 예상됐다. 인텔은 지난해 시설투자액도 전년 대비 31% 많았다. 인텔은 지난해부터 강도 높은 체질개선 작업과 함께 서버용 반도체 등 신사업 분야에 힘을 쏟고 있다.

인텔은 반도체 연구개발(R&D) 부문에서는 지난해 삼성전자(약 28억8000만 달러)의 네 배가 넘는 127억5000만 달러를 투자했다.

신동진 기자 shine@donga.com