기계硏, 나노 리소그래피 기술 개발

반도체 표면에 선폭 50nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)급의 미세 패턴(사진)을 대량 제작할 수 있는 차세대 기술과 관련 장비를 국내 연구진이 개발했다.

한국기계연구원 나노공정장비 연구센터장 이응숙(李應淑·47) 박사는 “현재 반도체 미세회로 제작에 쓰이는 광 리소그래피 기술을 대신할 수 있는 ‘자외선 나노 임프린트 리소그래피 기술’을 개발했다”고 15일 밝혔다.

이 기술은 1996년 미국 프린스턴대 연구팀이 제안한 것으로 경제적으로 나노 구조물을 제작할 수 있는 첨단 기술로 알려져 있다.

이 박사팀은 반도체 웨이퍼 위에 미세한 전자회로를 제작하는 공정에 광 기술 대신 이 기술을 적용해 선폭 50nm의 미세 패턴을 만들 수 있다는 사실을 입증했다.

이 박사는 “기존 광 리소그래피 기술로는 선폭 50nm를 구현하기 힘들다”고 설명했다.

이 기술은 진공이 아닌 대기압 상태에서 한 번에 가로세로가 각각 10cm 이상인 면적의 반도체 미세회로를 만드는 데 쓰일 수 있다는 평가다.

이 박사팀은 국제 학술지인 ‘마이크로일렉트로닉 엔지니어링’ 9월호와 10월호에 표지논문으로 이 기술논문을 잇달아 게재했으며, 국내 반도체 장비 회사를 통해 이달 말 이 기술을 상용화할 예정이다.

이 박사는 “공정 속도는 기존 공정에 비해 10배 이상 빨라지고, 장비 단가는 50% 이상 낮출 수 있다”며 “1년에 500억 원가량의 수입 대체 효과를 거둘 수 있다”고 말했다.

이충환 동아사이언스 기자 cosmos@donga.com