국민대 연구팀, 다층구조 플래시메모리 개발

휴대전화나 디지털카메라 등에 사용되는 플래시메모리의 저장능력을 획기적으로 증가시킬 수 있는 새로운 기술을 국내 연구진이 개발했다.

국민대 자기조립소재공정연구센터 조진한, 이장식, 신현정, 이재갑 교수팀은 “기존 단일층 구조의 메모리 저장층 대신 다층 구조의 저장층을 삽입해 플래시메모리 소자를 만드는 데 처음으로 성공했다”고 2일 밝혔다. 이 연구결과는 나노과학 분야 권위지 ‘네이처 나노테크놀로지’ 3일자에 실렸다.

조 교수는 “이 방법이 상용화되면 기존 메모리보다 저장능력을 수십 배 증가시킬 수 있고, 비싼 진공장비 없이 수용액 상태에서 쉽게 제조할 수 있을 것”이라고 주장했다. 연구팀이 만든 메모리 저장층은 6∼16nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 크기의 금이나 백금, 팔라듐 같은 금속층과 고분자물질층이 서로 반대 전하를 띠고 번갈아 가며 쌓여 있는 구조. 금속 입자의 크기와 층수에 따라 구동에 필요한 전압이나 메모리 저장능력을 원하는 대로 조절할 수 있다.

임소형 동아사이언스 기자 sohyung@donga.com