비휘발성 메모리란 D램 등과 달리 전원이 꺼져도 데이터가 보존되는 반도체다. ‘P램(Phase change RAM)’은 실리콘이 아닌 ‘게르마늄 안티몬 텔룰라이드’라는 신물질을 이용해 만들어졌다.
이 제품은 쓰기속도 100ns(나노초·10억분의 1초), 읽기속도 50ns로 동작하고 20억 회까지 반복사용이 가능하며 70도의 고온에서도 20년간 데이터를 보존할 수 있다.
삼성전자는 “P램 개발에 성공해 F램, M램 등 모든 차세대 반도체군을 확보하게 됐다”며 “이들 제품은 빠른 데이터 처리속도와 많은 저장용량으로 기존 플래시메모리를 빠르게 대체할 것”이라고 전망했다.
최호원기자 bestiger@donga.com
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