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동아일보|IT/의학

스마트폰 전력 10분의 1로 줄이는 트랜지스터 개발

입력 2010-11-12 03:00업데이트 2010-11-12 03:00
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고현협 울산과기대 교수
고현협 울산과학기술대(UNIST) 나노생명화학공학부 교수(37·사진)팀은 10일 “인듐비소(InAs)로 만든 초박막 화합물 반도체를 실리콘 기판 위에 붙여 나노 트랜지스터를 만들었다”고 밝혔다. 이 트랜지스터를 스마트폰에 사용하면 전력소비량은 10분의 1로 줄고 작동 속도는 최대 5배까지 올릴 수 있다.

고 교수는 “분자 사이에 작용하는 ‘반데르발스 힘’을 이용해 접착제를 사용하지 않고도 실리콘 기판과 화합물 반도체를 붙인 게 특징”이라면서 “화합물 반도체를 만든 뒤 이를 떼어다 실리콘 기판에 붙이는 방식이어서 기존 실리콘 반도체 공정을 그대로 사용해 트랜지스터를 생산할 수 있다는 장점도 있다”고 설명했다.

이번에 제작된 나노 트랜지스터는 반도체 중 ‘n형’에 해당하는 것으로 고 교수팀은 앞으로 동일한 기술을 이용해 p형을 제작해 나노 트랜지스터 상용화에 주력할 계획이다. 이 연구 결과는 과학학술지 ‘네이처’ 11일자에 게재됐다.

이현경 동아사이언스 기자 uneasy75@donga.com


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