삼성전자, 기존 D램보다 7배 빠른 ‘4기가 HBM2 D램’ 본격 양산

삼성전자가 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 ‘4기가바이트(GB) HBM2(고대역폭메모리, High Bandwidth Memory) D램’을 본격 양산한다.

HBM D램은 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 금선을 이용한 D램 패키지에 비해 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로 차세대 초고성능컴퓨팅 시스템에 최적의 솔루션을 제공한다.

삼성전자가 이번에 양산한 HBM D램은 2세대 HBM규격(HBM2)을 만족하는 제품으로 기존 1세대 규격보다 2배 빠른 속도를 갖추었다. 또 ‘초절전, 초슬림, 고신뢰성’까지 구현해 차세대 그래픽카드와 초고성능 컴퓨팅 환경이 요구하는 특징을 모두 만족시키는 제품이라고 회사 측은 설명했다.

삼성전자는 지난해 10월 ‘128기가바이트 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈’을 양산하며 초고속 메모리 시장을 크게 확대한 지 2개월 만에 ‘2세대 HBM D램’ 양산에 성공했다.

삼성전자는 올해 상반기(1~6월)에 용량을 2배 올린 ‘8기가바이트 HBM2 D램’도 양산할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 전무는 “차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 정보기술(IT)기업들이 초고성능 차세대 HPC를 적기에 도입하는 데 크게 기여하게 됐다”며, “향후에도 3차원 메모리 기술을 기반으로 글로벌 IT시장 변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 지속 확보해 나갈 것”이라고 강조했다.

김성규 기자 sunggyu@donga.com
김지현 기자 jhk85@donga.com