삼성전자, 40나노 공정 D램 세계 첫 양산

삼성전자가 세계 최초로 40nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m)급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램(사진) 양산을 시작했다고 21일 밝혔다. 이는 삼성전자가 올해 1월 40nm급 공정기술을 개발한 지 6개월 만이다.

40nm급 공정이란 D램을 만들 때 원판 실리콘 웨이퍼 위에 그리는 회로선폭을 40nm대까지 줄인 첨단 반도체 공정. 회로선폭이 줄어들면 한 웨이퍼에서 더 많은 D램을 생산할 수 있다. 또 생산 공정 단순화와 생산기간 단축 등의 효과가 있어 원가경쟁력도 높아진다. 40nm급 공정은 50nm급 공정과 대비할 때 생산성이 60%가량 높다.

현재 DDR3를 생산하는 곳은 전 세계에서 삼성전자와 하이닉스, 미국 마이크론 등 3개사. 하이닉스와 마이크론은 50nm급 공정기술을 적용하고 있다.

삼성전자 관계자는 “40nm급 2Gb DDR3 D램은 데이터 처리속도가 빠르고 전력소모가 적어 친환경적”이라며 “이 제품으로 대용량 D램 시장을 주도하겠다”고 말했다. 반도체시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 2Gb짜리 DDR3 D램 수요는 2010년 6억 개(세계 DDR3의 18%)에서 2012년 88억 개(82%)로 급증할 것으로 전망된다.

김유영 기자 abc@donga.com