中国メーカーに半導体技術流出した三星電子元幹部を拘束起訴

三星（サムスン）電子が１兆６０００億ウォンを投資して世界で初めて開発した半導体の中核技術を活用して、中国半導体メーカーでＤラムを開発した元三星電子の幹部ら３人が拘束・起訴された。

１日、ソウル中央地検情報技術犯罪捜査部（金潤龍部長検事）は、 サムスン電子の１８ナノＤＲＡＭ工程に関する国の中核技術を中国に流出させ、不正に使用した容疑で、元三星電子幹部で中国・長鑫存儲技術（ＣＸＭＴ）の核心開発人材である元三星電子幹部のヤン某氏、元三星電子研究員のクォン某氏とシン某氏の３人を拘束起訴したと発表した。検察によると、この犯行によって三星電子が受けた損害は、昨年の売上減少額基準で５兆ウォンに達し、今後数十兆ウォン規模の追加被害が予想されることから、史上最大規模の技術流出事件になるとみられる。

検察の取調べの結果、ヤン容疑者らは三星電子の年俸の３～５倍に相当する１５億～３０億ウォンの給与を４～６年にわたり約束され、犯行に関与したとみられている。

これに先立って、この事件の「主犯」格とされる三星電子部長出身のキム某容疑者は、三星電子が世界で初めて開発した１０ナノ級Ｄラムの最新工程技術をそのまま流出させ、ＣＸＭＴに渡した容疑で昨年１月に拘束起訴された。キム容疑者は、ＣＸＭＴが設立された２０１６年にＣＸＭＴへ転職し、三星電子の１８ナノＤラム工程情報を流出させ、その見返りとして数十億ウォン台の金品を受け取った容疑で起訴された。キム被告は１審で技術流出事件としては過去最高刑の懲役７年を言い渡され、２審で懲役６年と罰金２億ウォンの判決を受けた。

ＣＸＭＴは２０２３年、中国では初めて、世界では４番目に１８ナノＤラムの量産に成功したが、キム被告が流出させた情報を基に、ヤン被告らが実際の工程に適用できるよう支援した結果だと検察は見ている。


ソン・ユグン記者 big@donga.com