２９日に大統領府で開かれた「大韓民国大跳躍３大メガプロジェクト国民報告会」で、三星（サムスン）電子とＳＫハイニックスによる全羅南道光州（チョルラナムド・クァンジュ）統合特別市の半導体前工程ファブ（Ｆａｂ・製造工場）４棟の建設計画が正式に発表された。既存の龍仁（ヨンイン）など首都圏クラスターを除き、西南圏や忠清（チュンチョン）圏など非首都圏に新たに投入される資金だけでも約１０００兆ウォンに上る。人工知能（ＡＩ）向け半導体需要の急増に対応して投資効率を高めるとともに、首都圏のインフラ限界に伴うリスクを分散する国家レベルの措置だ。
●８００兆ウォン投じ光州に前工程ファブ新設 生産拠点を多角化
今回の投資計画の柱は、西南圏の新たな拠点確保だ。三星電子とＳＫハイニックスは、全羅南道光州統合特別市にそれぞれ４００兆ウォンずつ、計８００兆ウォンを投じ、最先端メモリ前工程ファブ４棟（各社２棟）を整備する。素材・部品や後工程ではなく、半導体製造の中核である前工程ファブが非首都圏に大規模新設されるのは初めてとなる。
こうした地方投資の背景には、ＡＩ普及によるメモリ需要の爆発的な増加と、首都圏インフラの飽和がある。市場調査会社オムディアによると、世界のメモリ市場は２０２５年の２０００億ドル（約３０９兆ウォン）から２０３０年には８０００億ドル（約１２３６兆ウォン）へと、５年間で約４倍に拡大する見通しだ。
出席した両社のトップも、西南圏投資の必要性を強調した。三星電子の李在鎔（イ・ジェヨン）会長は、「ＡＩによる技術パラダイムの変化は想像を超えるスピードで進んでおり、積極的な半導体投資を進めても爆発的な需要への対応には十分でないとの評価が市場では出ている」とし、「龍仁など既存団地の整備を前倒しするとともに、インセンティブが期待できる光州を新たなファブ候補地として計画している」と明らかにした。
ＳＫグループの崔泰源（チェ・テウォン）会長も、「メモリ需要の増加により深刻な供給不足が予想される」とし、「メモリ増産に向け龍仁へ６００兆ウォン、清州（チョンジュ）へ１００兆ウォンを前倒し投資しても、今後の供給不足は続くだろう」と診断した。さらに、「これを解消するため、大規模用地や電力、水資源の条件が整った西南圏に約４００兆ウォンを投資し、新たなファブを整備する」と述べた。
地域別のバリューチェーン投資も具体化された。広帯域メモリ（ＨＢＭ）の競争力強化に向け、忠清圏（天安・温陽・清州）に８１兆ウォンを投じ、大規模パッケージング拠点を整備する。東南圏（釜山など）と大慶圏（亀尾など）は、半導体需要の拡大を支える「素材・部品・装備の革新拠点」として育成する。
既存の首都圏生産拠点については、稼働時期を大幅に前倒しする。最終ファブの建設基準で、三星の龍仁国家産業団地は７年、ＳＫの龍仁一般産業団地は約１２年、完成時期を短縮する。三星の平沢（ピョンテク）第５・第６工場も同時建設へ切り替え、全体日程を３～４年前倒しし、５年以内に国家のメモリ生産能力を２倍規模へ拡大する方針だ。
●首都圏―忠清圏―西南圏結ぶ「半導体ベルト」
西南圏半導体ベルトが実現すれば、首都圏―忠清圏―西南圏を結ぶＫメモリ生産ベルトが構築される見通しだ。既存の生産拠点を高度化するとともに、次世代生産拠点を段階的に確保し、急増する世界のＡＩ向けメモリ需要に対応するとともに、安定したサプライチェーンを構築する計画だ。
政府が龍仁の着工前倒しに向け、電力・用水供給計画を全面的に支援すると表明したことから、首都圏は世界最大の先端メモリ生産拠点としての地位をさらに固める見通しだ。三星電子は同日、龍仁と平沢の半導体クラスターに２０３０兆ウォンを投資すると発表した。ＳＫハイニックスも龍仁クラスターに６００兆ウォンを投じる。
首都圏と西南圏を結ぶ役割を担う忠清圏は、パッケージングの中核拠点となる。光州に新設されるメモリファブも、忠清圏でパッケージング工程を経る見通しだ。
成均館（ソンギュングァン）大学化学工学部のクォン・ソクジュン教授は、「ＡＩ主導の産業構造変化に伴い、生産設備の拡充が必要な時期に大規模な地方投資計画が打ち出された」とし、「企業が投資計画を明らかにした以上、政府も政権交代があっても特別法など後戻りできない確実な支援策を講じ、経営の不確実性を低減する必要がある」と述べた。
イ・ドンフン記者 イム・ジェヒョク記者 dhlee@donga.com
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