三星電子社長、「ＤＲＡＭＶナンドの最高集積度を主導」

「現在開発している１１ナノ（ナノメートル・１ナノメートルは１０億分の１メートル）級Ｄラムは、業界最大水準の集積度を達成するでしょう。第９世代Ｖナンド（垂直に積み上げたメモリ）は、ダブルスタック構造で実現できる最高段数を開発中です

三星（サムスン）電子の李禎培（イ・ジョンべ）メモリ事業部長（社長）は１７日、三星電子の半導体ニュースルームに掲載した投稿文を通じて、次世代メモリ半導体の開発と関連してこのように公開した。三星電子は現在、第８世代２３６段ＮＡＮＤを量産しており、第９世代は３００段以上になる見通しだ。ここで使われるダブルスタック技術は、単一でセルを積むシングルスタックとは異なり、ＮＡＮＤを２回に分けて製作後、結合する方式だ。工程はさらに複雑だが、その分積層数を高めることができる。

李社長は、「今後到来する１０ナノ以下のＤラムと１０００段Ｖナンドの時代は、新しい構造と素材の革新が極めて重要だ」とし、「Ｖナンドの段数を増やしながらも高さは減らし、セル間の干渉を最小化して最も小さいセルサイズを具現する当社の強みを高度化するだろう」と話した。

さらに、「Ｄラムは、３Ｄ積層構造と新物質を研究開発している」とし、「最近、業界最高容量である３２Ｇｂ（ギガビット）ＤＤＲ５Ｄラムの開発に成功した。今後、大容量Ｄラムのラインナップを継続的に拡大し、１ＴＢ（テラバイト）容量のモジュールまで実現する」と付け加えた。


パク・ヒョンイク記者 beepark@donga.com