三星（サムスン）電子は２０日、回路線の幅が６０ナノメートル（ｎｍ・１ナノメートルは１０億分の１ｍ）で、髪の毛の太さの２０００分の１に過ぎない８ギガビット（Ｇｂ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー製品を開発したと発表した。
すでに世界のトップにあるメモリー半導体と共に、携帯電話用中央処理装置（ＣＰＵ）など、非メモリー半導体と共に成長させるという経営戦略も公開した。
三星電子の黄昌圭（ファン・チャンギュ）半導体総括社長は同日、ソウル新羅（シルラ）ホテルで開かれた記者会見でこのように発表し、「世界に先駆けてフラッシュメモリーで６０ナノ技術を商用化することにより、半導体ナノ技術では三星電子が『絶対強者』であることが確認された」と話した。黄社長はまた、「来年はこの技術を適用した製品を量産する」と付け加えた。
６０ナノ・フラッシュメモリーを利用して作る１６ギカバイト（ＧＢ）級フラッシュメモリーカードには、ＤＶＤレベルの高画質映画１０本やＭＰ３などの音楽ファイル約４０００曲を保存することができる。
三星電子は０１年に１００ナノ製品を開発して以来、０２年９０ナノ、０３年７０ナノと、世界半導体業界に最先端製品を発表し続けてきた。
三星電子は同日、世界最大容量の「８０ナノ級２ギガＤＤＲ２Ｄラム」新製品と、現在までに開発した製品の中で処理速度が最も速い６６７ＭＨｚの携帯電話用ＣＰＵも同時に発表した。
黄社長は「すでに世界１位であるＤラム、Ｓラム、フラッシュメモリーなど、メモリー半導体に続き、今年は多重チップ（ＭＣＰ）部門でトップとなる。また、０７年までには携帯電話用ＣＰＵ、カメラ付き携帯電話用イメージ・センサー（ＣＩＳ）など、非メモリー半導体分野でも世界最高を目指す」と話した。
電源が切れても保存された情報が消えないフラッシュメモリーのなかで、速度が早く、大容量情報を保存するのに最適な製品だ。デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、携帯電話などの保存媒体として使われる。
朴重鍱 sanjuck@donga.com
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