三星電子が開発に成功、次世代半導体「ＤＤＲ−１１Ｄラム」

三星（サムスン）電子は、次世代のメモリー半導体として脚光を浴びる「ダブルデータレート（ＤＤＲ）-11Ｄラム」の開発に世界で初めて成功したと、２７日発表した。

同製品は、従来のＤＤＲよりもデータ処理の速度が２倍以上速い「次世代ＤＤＲメモリー半導体」で、１秒間にハングル４１００万字の分量を処理することができる５１２メガ級だ。

三星電子は同製品に、１.８Ｖの低電力動作、０.１２μｍ（マイクロメーター、１μｍは１００万分の１ｍ）の超微細工程などの各種の新技術を適用させた。現在４７件の特許を申請中であり、このうち８件はすでに米国の特許を取得した。

三星電子は、米国ＩＢＭと共同で製品の性能テストを実施、検証を終えている。

三星電子は、５１２メガＤＤＲ—11を今年の年末から量産する計画であり、ＤＤＲの生産比重も、年末までに５０％以上に拡大させ、高性能Ｄラム市場をリードする戦略だ。半導体市場調査専門機関のデータクエストは、今年はＤＤＲ製品がＤラム全体市場の４０％を占め、来年には６６％まで増えると予想している。

朴庭勳 sunshade@donga.com