三星電子、半導体ライン増設に４兆ウォン投資

三星（サムスン）電子が2003年末まで3兆8424億ウォンを投資し、半導体生産ライン2つを追加で建設する。三星電子は6日、記者懇談会を開き、半導体および超薄膜トランジスター液晶表示装置（TFT-LCD）事業において、世界最高を達成するという内容のビジョンを発表し、生産ラインの追加建設計画を公式に発表した。

三星電子が新しく建設、稼動することになる半導体の生産ラインは、メモリー2つ（一つは12インチウェイパー生産ライン）とシステムLSI（非メモリー）など３つである。

サムスンはまず2002年まで供給不足が予想されるDラムとランバースDラム、フラッシュメモリーなど、次世代の高容量メモリー市場を先占するために、今月からファソンにある2団地の10ラインを本格的に稼動する。また、8インチDラムを生産するための11ラインをキョンキド（京畿道）のファソン団地内に今月から着工し、11ライン内に300mmウェイパーラインを構築し、2001年の下半期から稼動に入る予定である。三星はメモリー生産ラインのうち、一つを12インチウェイパー加工用の工場として建設することにした。

三星の半導体ライン増設は、現代電子やマイクロンなどの世界的な競争メーカーを締め出し、メモリー分野での確固たる地位を築くためのものであると解釈でき得る。

李勳（イ・フン）記者 dreamland@donga.com