三星電子世界初４ギガＤラム技術開発

三星（サムスン）電子が、世界で初めて次世代最先端Ｄラム技術である「４ギガＤラム半導体製品技術」を開発し、試作品生産に成功した。

三星電子は７日(米国時間)、サンフランシスコで開かれたISSCC(国際半導体学会)で、0.10ミクロン超微細工程技術を適用した次世代４ギガメモリー半導体製品の技術開発と関連した技術論文を発普A世界初の４ギガＤラム時代を切り拓いたと明らかにした。

今回発浮ｵた論文には、高集積度、大容量メモリーの特性を消化できるようにする微細増幅回路及び、安定化回路関連技術と低電力化と高速動作を可狽ﾉする複合設計技術等が含まれている。

三星電子が新製品段階で開発した４ギガＤラムの容量は、42億９千万ビット。一つのチップに新聞３万２千ページ、英文５億字、単行本640冊、静止画像１千６百枚、音声データ64時間分量を保存することができる先端製品だ。

特に三星電子は、今回開発した４ギガＤラム工程技術の0.10ミクロン技術を、キフン工場で量産中の256メガ及び、128メガＤラム製品に適用した場合、60％以上の原価削減効果が卵zされ、半導体原価競争においても確実に優位な地位を保てると語った。

イ・クンミョン記者 lkmhan@donga.com