건국대-서울대 공동 연구진… 1000배 빠른 메모리 개발
건국대 물리학부 이상욱 교수와 서울대 물리천문학부 박영우 교수가 공동 참여한 연구진은 “현재 사용하는 플래시메모리보다 정보를 저장하고 삭제하는 속도가 1000배 이상 빠른 신개념 메모리를 개발했다”고 1일 밝혔다.
연구진은 전하(電荷·전기의 성질을 갖는 작은 입자)를 전달하는 방식을 바꿔 차세대 메모리의 정보처리 속도를 크게 높였다. 메모리는 전하를 담는 그릇 역할을 하는 플로팅게이트에 전하를 넣고 빼는 식으로 신호를 만든다. 플로팅게이트에 전하가 있으면 ‘1’, 없으면 ‘0’이란 신호가 생긴다. 트랜지스터는 이 신호를 읽어 정보를 처리하는데 현재 방식은 전기가 잘 통하지 않는 절연층으로 전하를 통과시키기 위해 고압의 전기를 쓰기 때문에 속도가 느릴 뿐 아니라 전력 소모량도 컸다.
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이번 연구 결과는 과학학술지 ‘네이처’ 자매지인 ‘네이처 커뮤니케이션스’ 1일자 온라인판에 실렸다.
변태섭 동아사이언스 기자 xrockism@donga.com