人工知能（ＡＩ）の高度化に伴い、低消費電力・高効率のメモリ半導体に対する需要が拡大している。高価で高性能な高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）一辺倒だった構図から、ＡＩ向け「コストパフォーマンス型」メモリ市場が本格的に開き始めた。これに合わせ、三星（サムスン）電子、ＳＫハイニックス、マイクロンのメモリ大手３社による新製品競争も激化している。
ＳＫハイニックスは１０日、第６世代（１ｃ）工程で製造した１６Ｇｂ（ギガビット）低消費電力（ＬＰ）ＤＤＲ６ＤＲＡＭを世界で初めて開発したと発表した。ＬＰＤＤＲとは、スマートフォンやタブレットなどモバイル機器に搭載されるＤＲＡＭだ。１ｃは現在メモリ業界で商用化されたＤＲＡＭ工程の中で最も先進的な工程とされる。ＳＫハイニックスのＬＰＤＤＲ６は、前世代のＬＰＤＤＲ５Ｘに比べデータ処理速度が３３％向上した。電力消費は２０％以上削減する構造で設計された。
ＳＫハイニックスは上半期（１～６月）中に量産準備を終え、下半期（７～１２月）から製品供給を開始する予定だ。同社は「スマートフォンやタブレットなど機器内でＡＩを処理する『オンデバイスＡＩ』に主に活用される」とし、「ＡＩに最適化された汎用メモリのラインアップを構築していく」と説明した。
オンデバイスＡＩに加え、ＡＩサーバー分野でもＬＰＤＤＲの活用が期待されている。ＬＰＤＤＲは、ＨＢＭの補完材として注目される「ＳＯＣＡＭＭ」の中核部品でもある。ＳＯＣＡＭＭはＬＰＤＤＲ４枚を組み合わせたＤＲＡＭモジュールで、従来のサーバー用ＤＲＡＭより消費電力を抑えながら性能を高められることから、需要が拡大している。現在商用化されている最新製品は「ＳＯＣＡＭＭ２」で、ＬＰＤＤＲ５Ｘを基盤としている。三星電子が先行して量産を開始しており、ＳＫハイニックスは顧客向け供給に向けた最適化作業を進めている。マイクロンは、三星電子やＳＫハイニックスのＳＯＣＡＭＭ２より容量を約３３％増やした製品を開発し、最近顧客にサンプルを送付した段階だ。
ＳＯＣＡＭＭ技術が注目される理由は、ＡＩが学習中心から推論段階へ移行する中で必要とされるメモリ機能が変化しているためだ。ＡＩが学習中心の段階では大量データを高速処理するＨＢＭが不可欠だった。一方、推論ＡＩでは学習で完成したモデルから迅速に答えを導くことが核心となる。この場合、ＨＢＭほどの性能は必要ない。むしろ過度な電力消費や高い発熱により非効率を生む可能性がある。その代わり、一般ＤＲＡＭより高性能でありながらＨＢＭより電力効率や発熱制御に優れるＳＯＣＡＭＭが最適な役割を果たすことができる。半導体業界の関係者は「今後ＳＯＣＡＭＭ競争が激化するにつれ、ＬＰＤＤＲ需要も拡大するだろう」と見通した。
半導体業界は急速に変化するＡＩ市場に対応するため、ＨＢＭやＳＯＣＡＭＭをはじめ各種メモリ製品群の高度化に巨額の研究開発（Ｒ＆Ｄ）費を投じている。最近公表された連結監査報告書によると、三星電子の昨年のＲ＆Ｄ費は過去最大の３７兆７４０４億ウォンで、前年より７．８％増加した。ＳＫハイニックスも昨年、過去最大となる６兆７３２５億ウォンをＲ＆Ｄに投入した。
パク・ヒョンイク記者 beepark@donga.com
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