ＳＫハイニックスは２５日、３２１段のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（写真）製品の開発を終え、量産を開始すると発表した。３００段以上のＮＡＮＤ製品を発売したのは、同社が世界で初めてだ。中国の揚子メモリテクノロジー（ＹＭＴＣ）が今年２月、２９４段ＮＡＮＤの量産に乗り出し、三星（サムスン）電子は昨年４月から２８６段ＮＡＮＤを生産している。ＮＡＮＤは、層を多く積むほどデータの保存容量が増え、空間効率が高くなる。
ＳＫハイニックスは同日、「世界で初めて３００段以上のＮＡＮＤを具現し、技術的限界を再び突破した」とし、「現存するＮＡＮＤの中で最高の集積度を持つ製品で、来年上半期（１～６月）から人工知能（ＡＩ）のデータセンター市場を本格的に攻略する」と明らかにした。
同社は、新製品のコスト競争力を強化するため、容量を従来の製品比２倍増やした２テラバイト（２ＴＢ）で開発した。また、ＮＡＮＤで独立的に動作する単位を意味する「プレーン」を、既存の４個から６個に増やして革新を成し遂げたと説明した。
一般的に、ＮＡＮＤは、容量が大きくなるほど、同じ空間により多くの情報を保存し、データ処理速度が遅くなる問題が発生する。同社は、「プレーンを増やして、以前の製品に比べ、データの伝送速度を１００％高めた」と伝えた。書き込み性能は５６％、読み取り性能は１８％上昇した。また、電力効率が改善され、省エネが求められるＡＩデータセンターで需要が大きいと期待した。
同社は、３２１段ＮＡＮＤをまずパソコン用に生産、販売し、今後、データセンター用、スマートフォン用へと販売を増やしていく計画だ。同社のチョン・ウピョ副社長（ＮＡＮＤ開発担当）は、「今回の製品の量産で、高容量製品ポートフォリオを確保した」とし、「爆発的に成長するＡＩ需要とデータセンター市場の高性能要求に合わせて、大きな跳躍を成し遂げる」と話した。
パク・ヒョンイク記者 beepark@donga.com
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