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中国の半導体メーカーに核心技術を漏洩か、元三星電子幹部らを拘束起訴

中国の半導体メーカーに核心技術を漏洩か、元三星電子幹部らを拘束起訴

Posted January. 04, 2024 08:31,   

Updated January. 04, 2024 08:31

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検察が中国の競合会社に半導体の核心技術を無断で流出させた三星(サムスン)電子の元部長を拘束起訴した。検察は技術漏洩に関与した人物が他にもいるものと見て、捜査を続ける方針だ。

ソウル中央地検·情報技術犯罪捜査部(イ・チュン部長検事)は3日、三星電子の元部長のキム氏と半導体装備の納品メーカーであるユジンテックの元チーム長のパン氏を産業技術の流出防止および保護に関する法律違反の罪で起訴した。

キム被告はメモリー半導体関連の国家中核心技術である18ナノDラム半導体工程の情報を中国最大のDラム製造企業である長新記憶技術(CXMT)に無断で流出させた疑いが持たれている。検察の捜査の結果、キム氏は工程情報を写真に撮ったり、詳しくメモしたりして情報を流出させ、CXMTに情報を提供した後も、中国に設立された半導体装備メーカーを技術漏洩に動員しようと試みたことが分かった。

特に、この二人は、三星電子に納品される半導体特殊装備を真似て模倣設備を直接作ったという。これに先立って検察は、この二人と共に装備模倣に加担した半導体設備メーカーの職員だったキム被告を昨年12月拘束起訴した。ソウル中央地裁は昨年12月15日、「証拠隠滅の恐れがある」として逮捕状を発行した。

半導体業界によると、今回の事件で三星電子と協力会社が被った被害額は2兆3000億ウォンに上る。2016年、CXMTに転職したキム被告は、約7年間、毎年10億ウォンに達する年俸を受け取ったという。昨年10月、彼らの帰国をきっかけに捜査を本格化した検察は、共犯者を含め数十人が関与していると見て、捜査を継続する計画だ。


ユ・チェヨン記者 ホ・ドンジュン記者 ycy@donga.com