ＳＫハイニックス、１２段積層のＤＲＡＭ「ＨＢＭ３」を世界初開発

ＳＫハイニックスが、世界で初めてＤラムチップ１２個を垂直に積み上げた現存の最高容量である２４ＧＢ（ギガバイト）のＨＢＭ３の新製品を開発した。チャットＧＰＴなどの人工知能（ＡＩ）チャットボットの普及などで、次第に拡大しているＡＩ半導体市場を攻略する計画だ。

ＳＫハイニックスは２０日、「昨年６月に世界で初めてＨＢＭ３を量産したのに続き、今回は容量を５０％高めた２４ＧＢのパッケージ製品の開発に成功した」と発表した。ＨＢＭは、複数のＤラムを垂直に連結し、従来のＤラムよりデータの処理速度を引き上げた製品だ。従来のＨＢＭ３の最大容量は、Ｄラム単品チップ８個を垂直に積層した１６ＧＢだった。

ＨＢＭ３は、大量のデータを迅速に処理することに特化したメモリと評価される。高い半導体性能を要求する生成型ＡＩに活用できるため、ビッグテック企業の需要が増えている。現在、複数のグローバル顧客会社が、ＨＢＭ３・２４ＧＢのサンプルを受け取って、性能検証を進めていることが分かっている。

ＳＫハイニックスは、今回の製品にアドバンストＭＲ-ＭＵＦ技術も採用した。アドバンストＭＲ-ＭＵＦ技術とは、半導体のチップとチップの間の回路を保護するために、液体形態の保護材を空間間に注入する工程だ。ＳＫハイニックスのホン・サンフ副社長（Ｐ＆Ｔ担当）は、「世界最高の後工程技術力を土台に、超高速、高容量のＨＢＭ製品を相次いで開発することができた」とし、「上半期（１～６月）中に今回の新製品の量産準備を完了し、ＡＩ時代の最先端Ｄラム市場の主導権を確固たるものにする」と話した。


具特敎 kootg@donga.com