浦項（ポハン）工科大学研究チームは、１０００億回にわたって読み取りや書き込みを繰り返しても、情報が損失しない卓越した性能のＦＲＡＭメモリー素子を作ることができる新物質の開発に成功した。
ＦＲＡＭは、数百万回にわたって読んだり書き取ったりを繰り返すと情報が損傷されるメモリー「ＤＲＡＭ」とは異なって、情報を半永久的に保管できる非揮発性メモリー素子だ。
１４日、浦項工大新素材工学科の張鉉明（チャン・ヒョンミョン、４９）教授チームは、ビズマス−ネオジム−チタニウム系列の新物質を使用して、自発分極が非常に大きく、半永久的に情報を読んだり書ける画期的なＦＲＡＭ向けの薄膜キャパシタを開発したと発表した。自発分極とは、単位体積当たりに発生する電気双極子の大きさで、ＦＲＡＭでは、これが大きいほど信号を明確に伝えられる。この研究結果は、物理学分野の最高権威誌である「フィジカルレビューレタス」の８月号に載せられる予定だ。
これまで三星（サムソン）電子、東芝、日立など半導体メーカーは、ＦＲＡＭメモリーの開発にＰＺＴ（鉛−ジルコニウム−チタニウム）とＳＢＴ（ストロンチウム−ビズマス−チタニウム）を主な材料に使用してきたが、ＰＺＴは繰り返して読んだり使ったりすると情報が損失し、ＳＢＴは摂氏７００度程度の高い温度でのみ作れるという短所を持っている。張教授は「今回の研究成果を発展させれば、現在ＤＲＡＭ分野で世界最高の水準である韓国が、ＦＲＡＭの分野でも主導権を握るだろう」と話した。
ＦＲＡＭは、高い周波数の交流電気場によって誘導される電気双極子の方向性を使用する新しい方式のメモリー素子。非揮発性で高速で情報を記録できるうえ、消費電力も少なく「次世代メモリー素子」のうち最も注目されている。
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