８世代ＨＢＭ公開した三星「圧倒的競争力確保へ」

三星（サムスン）電子が情報技術（ＩＴ）展示会「コンピューテックス２０２６」で、第８世代高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）である「ＨＢＭ５」の実物モックアップを初公開した。

三星電子デバイスソリューション（ＤＳ）部門のソン・ジェヒョク最高技術責任者（ＣＴＯ・社長）は２日（現地時間）、台湾・台北の台北南港展覧館（ＴＡＩＮＥＸ）第１展示場でＨＢＭ５を紹介し、「エヌビディアを含むグローバル企業との協力を基盤に、次世代メモリ技術の競争力を強化していく」と述べた。これについて三星電子は、「圧倒的な技術競争力を通じ、次世代メモリ市場を先取りするという意志を示したものだ」と説明した。

ソン氏は、ＨＢＭ５時代を見据えた次世代熱管理技術の検証も終えたと明らかにした。ＡＩメモリの性能向上に伴って発生する発熱問題を解決するための放熱ブロック（ＨＰＢ）技術構造についても説明した。ソン氏は「三星のＨＢＭ５は、別途の熱伝達経路を追加することで熱抵抗を低減し、動作安定性を高めた点が強みだ」とし、「今後のＡＩ環境でシステム全体の効率向上に重要な役割を果たすだろう」と話した。

ソン氏は、さらに「急変するＡＩ産業に対応するには、メモリ、ファウンドリ（半導体受託生産）、パッケージングまで網羅するソリューション競争力が重要だ」とし、総合半導体企業としての三星電子独自の強みを強調した。

三星電子は今回の展示で、先月２９日に世界で初めてサンプル出荷した第７世代ＨＢＭ「ＨＢＭ４Ｅ」製品も披露した。三星電子は今年２月、第６世代ＨＢＭ製品「ＨＢＭ４」を初めて量産出荷したのに続き、３カ月で第７世代サンプル供給と第８世代モデル公開に踏み切るなど、ＨＢＭ主導権固めを加速させている。


パク・ヒョンイク記者 beepark@donga.com