ＳＫハイニックス、ＨＢＭ内部に「ＩＣＥ」搭載 発熱抑制へ

ＳＫハイニックスは２６日、人工知能（ＡＩ）向け高性能メモリ半導体「広帯域メモリ（ＨＢＭ）」内部に熱を逃がす専用通路を別途設計する「ｉＨＢＭ」技術を公開した。放熱素子「ＩＣＥ」をＨＢＭ内部に直接埋め込む方式で、従来方式より熱抵抗を３０％以上低減できる。第８世代ＨＢＭ「ＨＢＭ５」から適用される。

ＨＢＭとは、メモリチップを複数層積み重ね、ＡＩ演算に必要なデータを高速処理する半導体。ＡＩ需要拡大に伴い、積層数と速度を高める方向で進化しているが、高性能化するほど発熱も増える点が課題だった。特に、ＨＢＭ内部でデータを超高速でやり取りする接続区間は熱が集中する部分で、この発熱を抑える技術が次世代ＨＢＭ競争力の核心とされてきた。

ＳＫハイニックスが打ち出した解決策は、この部分に放熱素子を直接埋め込むことだ。「ＩＣＥ」は電気は通さず、熱のみ効率的に伝えるシリコン素材で作られている。従来のＨＢＭは内部熱をチップ本体を経由して外部へ逃がしていたが、ｉＨＢＭは最も熱が発生する部分にＩＣＥを配置し、熱だけを直接外へ逃がす専用経路を設けた形だ。発熱箇所のすぐ横に「換気口」を設けるのに近い原理という。これにより、同じ環境でも温度を低く保てるほか、極限環境でも安定動作が可能になる。

この技術はＨＢＭ５から適用される。ＳＫハイニックスは、既存の量産工程をそのまま活用できるため大量生産に支障がなく、顧客企業側も大幅な設計変更なしに導入できるため負担が小さいと説明した。今後、ＡＩデータセンターや高性能コンピューティング分野に順次適用し、システム全体の安定性と効率向上を図る計画だ。

ＳＫハイニックスの李康旭（イ・ガンウク）副社長（パッケージ開発担当）は、「ｉＨＢＭは、メモリ設計能力と先端パッケージング技術を融合して開発した、発熱最小化のための最適ソリューションだ」とし、「ＡＩ環境で顧客が求める価値を先回りして提供し、ＡＩメモリ分野でのリーダーシップをさらに強固にしていく」と話した。


イ・ミンア記者 omg@donga.com