ＳＫハイニックスが次世代パッケージング技術であるハイブリッドボンディングを早期に導入し、第８世代の高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）「ＨＢＭ５」を２０２９年ごろに発売するとの見通しが出ている。
６日、市場調査会社のカウンターポイント・リサーチによると、ＳＫハイニックスは アプライド・マテリアルズとＢＥセミコンダクター・インダストリーズ（ＢＥＳＩ）の統合ハイブリッドボンディングソリューションを先行導入し、次世代ＨＢＭ競争で技術的優位を確保しているという。これにより、次世代の人工知能（ＡＩ）向けグラフィック処理装置（ＧＰＵ）のサイクルに合わせ、２０２９～２０３０年ごろに「ＨＢＭ５」の量産が可能になるとの分析が示された。
ハイブリッドボンディングは、半導体チップを接続する際、従来のように微細な金属バンプを用いる代わりにチップ同士を直接接合する技術だ。チップ間の間隔を縮め、積層の高さを低く抑えることができるため、帯域幅や電力効率、信号処理速度を同時に向上させることができる次世代パッケージング方式として注目されている。
ＨＢＭは複数のＤＲＡＭを垂直に積層しデータ処理速度を高めたメモリで、ＡＩや高性能計算（ＨＰＣ）に不可欠な製品だ。現在の熱圧着ボンディング（ＴＣＢ）方式は最大１６層まで積層可能だが、層数が増えるほど発熱や電力効率の低下、信号干渉の問題が大きくなるという限界がある。エヌビディアなど主要顧客がより高い帯域幅と効率を求める中、半導体業界ではこうした従来工程の限界を補う代替策としてハイブリッドボンディングへの転換が進められている。
イ・ミンア記者 omg@donga.com
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