三星が次世代メモリ「ＣＸＬ２.０Ｄラム」を初開発

三星（サムスン）電子が、Ｄラムの容量と帯域幅を大きく拡張できる次世代Ｄラムの新製品（写真）を開発した。

１４日、三星電子によると、今回披露した新製品は、業界で初めてコンピューターエクスプレスリンク（ＣＸＬ）２.０を支援する１２８ＧＢ ＣＸＬ Ｄラムだ。三星電子は昨年５月、世界で初めてＣＸＬ１.１基盤のＣＸＬ　Ｄラムを開発したのに続き、１年ぶりに新しいバージョンの製品を開発し、次世代メモリーの商用化時代を繰り上げたと紹介した。

ＣＸＬとは、高性能サーバーで中央処理装置（ＣＰＵ）と加速器、Ｄラムなどをより効率的に使用できるよう支援する媒介体だ。ＣＸＬ　Ｄラムは、既存のメインＤラムとシナジー効果を出し、帯域幅と容量を拡張することができるので、人工知能（ＡＩ）やマシンラーニングなど次世代コンピューティング市場で注目されている。最先端技術の産業では、必要なメモリ容量とデータ処理速度の基準が引き続き高まり、既存のメモリを超える水準の性能向上が求められている。

業界で初めて、「メモリプーリング（ｐｏｏｌｉｎｇ）」機能も支援する。サーバーで複数のＣＸＬメモリを束ねた後、それぞれのユーザーが必要なだけメモリを分けて使用できるようにする技術だ。これを通じて、ＣＸＬメモリを遊休領域なしに全て使用できるというのが、三星側の説明だ。


パク・ヒョンイク記者 beepark@donga.com