モバイル用半導体Ｆ−ＲＡＭ、三星電子が世界で初めて開発

三星（サムスン）電子は１６日、モバイル用の次世代半導体メモリーであるＦ−ＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ）を世界で初めて開発したと発表した。

三星電子は、世界で最も集積度の高い３２メガビット（Ｍｂ）製品の技術と同技術を適用した４ＭｂＦ−ＲＡＭを通じて携帯電話を作動させることに成功し、業界で初めて、Ｆ−ＲＡＭがモバイル機器で使用できることを立証した。これまで携帯電話には主にＳ−ＲＡＭが使われていたが、チップの大きさが大きい短所があった。

Ｆ−ＲＡＭは、Ｄ−ＲＡＭとＳ−ＲＡＭ、フラッシュメモリーなど従来のメモリーとは異なって、速いスピードで作動しながらも、非揮発性、低電圧、低電力などの特性がある。

また単純な製造工程と安い製造コストのために、モバイル機器用としては最適のメモリー半導体として評価され、各メーカーでの開発競争が激しい。

メガ級の大容量Ｆ−ＲＡＭは、携帯電話、個人携帯情報端末機（ＰＤＡ）、スマートフォン、スマートカードなどの製品で使われるものとみられ、市場は２００４年にいまの５倍の３３億ドル、２００８年にはいまの４０倍の２６７億ドルになるものと見込まれている。

三星電子は、こうした技術的優位にのとづき、来年から急成長が予想されるＦ−ＲＡＭ市場の先占めに向けて、本格的な準備作業に乗り出す一方、６４Ｍ以上のＦ−ＲＡＭの開発も本格化させる計画だ。

孔鍾植 kong@donga.com