ＳＫハイニックス、世界最高層２３８段ＮＡＮＤ開発に成功

ＳＫハイニックスが、現存する半導体の中で最高層である２３８段のＮＡＮＤ型フラッシュ（写真）の開発に成功した。従来の最高層のＮＡＮＤは、米マイクロンの２３２段の製品だった。

ＳＫハイニックスは２日（現地時間）、米サンタクララで開幕した世界最大のＮＡＮＤ型フラッシュカンファレンス「フラッシュメモリーサミット２０２２」で、２３８段の５１２ギガビット（Ｇｂ）のＴＬＣ４Ｄ・ＮＡＮＤ型フラッシュの新製品を公開した。ＳＫハイニックスは、このサンプル製品を顧客会社にすでに納入しており、来年上半期（１～６月）中に量産に入る計画だと明らかにした。

今回の製品は、ＳＫハイニックスが２０２０年１２月に１７６段のＮＡＮＤを開発してから、１年７ヵ月ぶりに出した成果だ。最高層の製品でもあるが、世界で最も小さいサイズで具現されたということも目を引いた。同日のカンファレンスで、ＳＫハイニックスのＮＡＮＤ開発担当（副社長）は、「当社は、４次元（４Ｄ）のＮＡＮＤ技術力を土台に開発した２３８段を通じて、コストや性能、品質の面でグローバルトップクラスの競争力を確保した」とし、「今後も、技術的限界を突破するために革新を繰り返していく」と話した。

不揮発性メモリ半導体であるＮＡＮＤフラッシュは、基本の保存単位である「セル」を垂直に積み上げる技術力が重要な製品だ。積層段数が高いほど、製品のデータ保存容量も大きくなると同時に、同じ面積のウェハーでより多くのチップを作ることができる。ＳＫハイニックスは、２０１８年に開発したＮＡＮＤ９６段から、従来の３Ｄ設計を超えた４Ｄ製品を披露してきた。この過程で、「ペリアンダーセル（セルの下に回路を配置する技術）」などの最先端の独自技術を採用して、生産効率を高めた。

今回の２３８段の新製品は、前世代の１７６段に比べて生産性が３４％高くなったと、ＳＫハイニックスは説明した。データ伝送速度は１秒当たり２．４Ｇｂで、前世代比５０％速くなった。一方、チップがデータを読む時に使うエネルギーの使用量はむしろ２１％減った。

ＳＫハイニックスは、パソコンの保存装置であるｃＳＳＤ（ｃｌｉｅｎｔ　ＳＳＤ）に搭載される２３８段の製品を優先的に出荷し、その後、スマートフォン用とサーバー用高容量ＳＳＤなどへと、製品の活用範囲を広げていく計画だ。さらに、来年は現在の５１２Ｇｂより容量が２倍の１テラビット（Ｔｂ）の製品も披露する予定だ。

市場調査会社・トレンドフォースによると、今年第１四半期（１～３月）のグローバルＮＡＮＤ型フラッシュ市場シェアは、三星（サムスン）電子が３５．３％で１位、キオクシア（１８．９％）が２位、ＳＫハイニックス（１８．０％）が３位となっている。続いてウェスタンデジタル（１２．５％）とマイクロン（１０．９％）の順だった。


郭道英 now@donga.com