三星電子、グローバルＤＲＡＭ市場で１位を奪還 ハイニックスを抜く

今年第３四半期（７～９月）のグローバルＤＲＡＭ市場で、三星（サムスン）電子が売上高ベースのシェア１位を奪還したとの調査結果が出た。

１９日、市場調査会社チャイナフラッシュマーケット（ＣＦＭ）によると、三星電子は第３四半期のＤＲＡＭ市場で３４．８％のシェアを獲得し、３４．４％のＳＫハイニックスを僅差で抑えて首位に立った。３位のマイクロンは２２．４％だった。第２四半期（４～６月）にはＳＫハイニックス３８．２％、三星電子３３．５％だったが、わずか１四半期で順位が逆転した。前期比のＤＲＡＭ売上高増加率で、三星電子（２９．６％）がＳＫハイニックス（１２．４％）を大きく上回った結果だ。

ＣＦＭは「三星電子の高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）出荷量が前期比８５％増加し、汎用ＤＲＡＭは価格上昇もあって、ＤＲＡＭ全体の収益が過去最高となった」と分析した。現在、汎用ＤＲＡＭ市場は、メモリー各社がＨＢＭを中心に生産設備を拡張している影響で供給が不足しているうえ、人工知能（ＡＩ）需要の拡大も重なり、品薄状態が続いている。さらに、ＨＢＭで苦戦していた三星電子は、今年下半期（７～１２月）からＮＶＩＤＩＡなど主要顧客への供給を増やしている。

ＣＦＭは、「すべての分野でメモリー供給が逼迫し、 在庫減少が続いている」とし、「メモリー市場は第４四半期（１０～１２月）に高値を更新する見通しだ」と述べた。


パク・ヒョンイク記者 beepark@donga.com