ＳＫハイニックス、「最高速度」の１０ナノＤＲＡＭをインテルで検証

ＳＫハイニックスは３０日、１０ｎｍ（ナノメートル）級の第５世代（１ｂ）最先端技術を採用したサーバー用ＤＤＲ５製品を、最近インテルの製品検証手続きに投入したと発表した。これに先立って１８日、三星（サムスン）電子も同じ第５世代工程である１２ｎｍ級ＤＤＲ５製品の量産に入ったと発表し、最先端メモリ技術をめぐる競争が激しくなる模様だ。

ＳＫハイニックスは、該当Ｄラム製品が最近インテルの「データセンターメモリ認証プログラム」の検証手続きに入ったと説明した。この手続きを通れば、今後、インテルの次世代サーバー用チップに実際採用できるようになる。

新製品のＤＤＲ５は、動作速度が６.４Ｇｂｐｓ（１秒当たり６.４ギガビット）で、現在市場で発売されているＤＤＲ５の中で最高速度を具現する。ＤＤＲ５の開発段階で公開された初期の試作品よりも、データ処理速度が３３％向上した。直前段階の製品である第４世代（１ａ）のＤＤＲ５に比べ、電力消耗を２０％以上減らした。

下半期（７～１２月）に半導体景気が回復するという予測が提起され、市場先取りのための先端工程をめぐる競争はより一層深激しくなるものと見られる。ＳＫハイニックスのキム・ジョンファンＤＲＡＭ開発担当（副社長）は、「業界最高水準のＤＲＡＭ競争力を土台に、業績改善に拍車をかける」とし、「来年上半期に、最先端の１ｂ工程を高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）の次世代製品などにも拡大採用する予定だ」と明らかにした。


郭道英 now@donga.com