髪の毛の太さの４万分の１、世界で一番小さなトランジスター（電子素子）が国内で開発された。
韓国科学技術院（ＫＡＩＳＴ）電子電算学科の崔梁圭（チェ・ヤンギュ）教授（４０）とナノ総合ファプセンターの研究チームは１４日、シリコンを材料に３ｎｍ（ナノメートル・１ｎｍ＝１０億分の１ｍ）の大きさの立体型電子素子（ＦｉｎＦＥＴ）開発に成功したことを明らかにした。
この素子を利用すれば、親指の爪ほどの大きさのチップにＤＶＤ１２５０タイトル、新聞１万２５００年分を記録できるメモリーを作ることができる。
この素子は、日本のＮＥＣ社が２００３年に発表した４ｎｍ平面素子よりも小さいだけでなく、小型化するほど性能が落ちる欠点を改善しているため、テラビット（１兆ビット）級次世代半導体開発に画期的な転機をもたらしたものと評価される。
平面素子は、大きさが１００ｎｍより小さいと作動しない時も電流が流れ、電圧増加によって電流が不安定化するため、小型化には障害が多かった。
このため、研究者たちは、既存の半導体素材であるシリコンの代わりに炭素ナノチューブや分子素子などナノメートル水準の新しい素材の開発に力を入れてきた。研究チームは、シリコン素子内の電流が流れる通路にゲートを立体的に配置することで、漏電を減らすのに成功した。
今回の成果は、今年６月１３日、米国ハワイで開催される「超高集積回路（ＶＬＳＩ）国際学会」で発表される予定だ。
kunta@donga.com
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