삼성, 세계 첫 3차원 적층기술 ‘DDR4 D램 모듈’ 양산

기존 제품보다 동작속도 2배… 전력 소비량은 절반수준 그쳐

삼성전자가 반도체 칩들 사이에 미세한 구멍을 뚫은 뒤 이 사이로 전극을 연결하는 기술인 ‘3차원 실리콘 관통전극(TSV)’을 적용한 64기가바이트(GB) 더블데이터레이트4(DDR4) 서버용 D램 모듈 제품(사진)을 세계 최초로 양산한다고 27일 밝혔다.

3차원 TSV 기술이 적용된 제품은 와이어(금선)를 이용해 반도체 칩들을 연결한 기존 제품보다 동작 속도가 2배 빠르지만 전력 소비량은 절반 수준이다. 이에 따라 삼성전자는 올해 세계 D램 시장에서 약 22%를 차지할 것으로 예상되는 서버용 D램 부문의 시장 점유율을 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 관계자는 “최근 서버용 D램 시장이 DDR3 D램에서 DDR4 D램으로 전환되고 있는 상황이기 때문에 이번 TSV 기술 기반의 고용량 서버용 D램 모듈 양산은 시장 지배력을 키우는 데 더욱 도움이 될 것으로 보인다”고 말했다.

또 삼성전자는 이번에 양산하기 시작한 서버용 D램 모듈을 차세대 서버용 중앙처리장치(CPU)와도 연계해 신규시장을 창출할 계획이다. 삼성전자는 올해 TSV 기술을 적용한 반도체를 생산하는 전용 라인까지 갖추는 등 시장에 적극적으로 대응하고 있다.

한편 업계에서는 이번 TSV 기술 적용 제품 개발로 향후 다양한 고용량 반도체 제품을 개발할 수 있는 여건이 마련된 것으로 보고 있다. 와이어를 이용해서 반도체 칩들을 연결할 경우 속도가 느려지는 문제 때문에 4개 이상 쌓을 수 없었기 때문이다.

삼성전자 관계자는 “TSV 기술이 본격적으로 적용되면 속도와 전력 소비에 큰 문제없이 더 많은 칩을 쌓는 게 가능하다”며 “64GB 이상의 고용량 제품 개발이 더 수월해질 것”이라고 예상했다.

이세형 기자 turtle@donga.com