하이닉스반도체는 세계 처음 40nm(나노·1nm는 10억 분의 1m)급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) 그래픽 DDR5 D램을 개발했다고 20일 밝혔다. 40nm급 공정은 반도체를 만들 때 원판 실리콘 웨이퍼 위에 그리는 회로선폭을 40nm대까지 줄인 것이다. 한 웨이퍼에서 생산하는 반도체 수가 많아져 생산성이 높아지게 된다. 특히 이번에 개발한 제품은 기존의 50nm급 1Gb D램보다 용량이 두 배 늘었고 에너지 소모량도 기존 제품보다 20% 적다. 하이닉스는 2007년 60nm급 1Gb 그래픽 DDR5 D램을 개발한 데 이어 지난해 50nm급 1Gb 그래픽 DDR5 D램을 개발했다.
김유영 기자 abc@donga.com