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반도체 집적도를 크게 높일 수 있는 기술을 국내 연구진이 개발했다.
염한웅(사진) 연세대 교수팀은 2일 선폭이 1nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m), 즉 원자 2개 정도에 이르는 나노선을 만드는 기술을 개발했다고 밝혔다.
이 같은 선폭은 현재 쓰이는 초고집적 반도체의 50분의 1에 불과한 것으로 선폭이 좁을수록 반도체 집적도는 높아진다.
연구 결과는 지난달 28일 물리학 분야 권위지 ‘피지컬 리뷰 레터스’에 실린 데 이어 이달 9일에도 연속 게재될 예정이다.
염 교수팀은 실리콘 반도체 기판 위에 금으로 형성한 1nm 폭의 선에 실리콘 원자를 적절히 첨가하는 방법을 썼다. 이를 통해 전자 구조를 실험자 생각대로 조정할 수 있다는 사실을 이번 연구를 통해 밝혀냈다.
염 교수는 “이 기술이 실용화하면 반도체 집적도를 크게 높일 수 있을 것”이라며 “차세대 반도체 소재 경쟁에서 우위를 차지하는 데에도 도움이 될 것”이라고 기대했다.
그는 교육과학기술부가 지원하는 원자선원자막연구단장을 맡고 있다.
이정호 동아사이언스 기자 sunrise@donga.com