“SK海力士提前引入混合鍵合技術…第八代高帶寬存儲器HBM5三年後推出”

有預測稱，SK海力士將提前引入下壹代封裝技術“混合鍵合”，于2029年左右推出第八代高帶寬存儲器“HBM5”。

據市場調查機構“Counterpoint Research”6日消息，SK海力士先發制人地引入了應用材料公司與BE半導體工業公司的壹體化混合鍵合解決方案，在下壹代高帶寬存儲器競爭中確保技術優勢。據此，分析認爲，SK海力士有望配合下壹代人工智能（AI）圖形處理器（GPU）的周期，在2029年至2030年左右實現HBM5的量産。

混合鍵合技術是指連接半導體芯片時，不再使用傳統的微型金屬凸點，而是將芯片直接貼合。該技術能縮小芯片間距並降低堆疊高度，可同時提升帶寬、功率效率和信號處理速度，因而被視爲下壹代封裝方式。

高帶寬存儲器是將多個DRAM垂直堆疊以提高數據處理速度的存儲器，是人工智能和高性能計算領域不可或缺的産品。目前的壓熱鍵合方式最多可實現16層堆疊，但隨著堆疊層數增加，發熱、功率效率下降及信號幹擾等問題日益凸顯。由于英偉達等主要高帶寬存儲器客戶要求更高的帶寬和效率，半導體行業正推動向混合鍵合技術轉型，以彌補現有工藝的局限性。


李敏娥記者 omg@donga.com