국내 연구진이 실리콘 반도체 효율의 한계를 뛰어넘을 차세대 메모리 반도체의 후보 물질로 꼽히는 반데르발스 자성체의 정보저장 안정성이 다른 소재보다 10배 이상 높다는 연구 결과를 발표했다.
한국과학기술연구원(KIST)은 스핀융합연구단 최준우 박사팀이 이 같은 연구 결과를 국제학술지 ‘나노 레터스(Nano Letters)’에 발표했다고 4일 밝혔다.
반데르발스 자성체란 물질의 층과 층 사이가 분자 간 약한 상호작용으로 이루어진 자성체다. 연구팀은 반데르발스 자성체인 ‘Fe3GeTe2’의 특성을 분석한 결과 두께가 두꺼워짐에 따라 교환 바이어스의 크기가 약해지는 기존 자성체들과는 달리 두께에 영향을 거의 받지 않으며, 교환 바이어스의 크기가 10배 이상 클 수 있음을 찾아냈다. 이 연구 결과는 차세대 스핀 메모리의 정보 저장 안정성을 크게 향상시킬 수 있음을 뜻한다.