[투자경영]주력 제품 D램-낸드플래시 경쟁력 강화에 집중

최근 반도체 산업은 기업 간 인수합병이 활발해지고 중국 기업의 진출이 본격화되는 등 경쟁구도가 재편되면서 불확실성이 커지고 있다.

이런 가운데 SK하이닉스는 메모리반도체 분야 선도 업체로서의 위상을 지키고 향후 더 큰 성장을 이루기 위해 본원적 경쟁력을 더욱 강화할 방침이다.

이를 위해 대규모 투자를 이어가며 주력 제품인 D램과 낸드플래시 경쟁력을 강화하는 한편 차세대 성장동력 확보에도 역량을 집중하고 있다.

2012년 SK그룹 편입 당시 반도체 업황이 불투명해 업계의 평균 투자 규모가 축소된 가운데서도 SK하이닉스는 투자를 전년 대비 10% 늘린 규모인 3조8500억 원을 집행했다.

이어 2014년에는 5조 원 이상, 2015년에는 사상 최대 규모인 6조 원 이상을 투자했다. 올해 역시 메모리 수요 둔화 등 어려운 시장 환경이 예상됨에도 SK하이닉스는 미래 성장동력을 확보하기 위해 지난해와 비슷한 규모를 투자할 예정이다.

이를 바탕으로 SK하이닉스는 D램과 낸드 기술경쟁력을 지속적으로 강화할 계획이다. D램은 20나노 초반급 제품 생산 비중을 늘려 수익성을 강화하기로 했다.

또 10나노급 제품 개발을 완료해 후발 업체와의 기술력 차이를 더욱 벌리는 것이 목표다. DDR4 및 LP-DDR4의 생산도 확대해 프리미엄 제품 판매도 늘려갈 계획이다.

낸드플래시는 기존 16나노 제품보다 공정을 더욱 미세화한 2D 구조의 14나노 제품을 성공적으로 개발 및 양산하고, 지난해 36단 3D 낸드플래시 제품 초기 양산에 이어 올해 48단 제품도 본격적으로 양산해 기술 리더십을 이어갈 계획이다. 3D 낸드플래시는 SSD(Solid State Drive)뿐만 아니라 낸드 솔루션 전반으로 확대해 3D 낸드플래시 수요 성장에 대응할 방침이다.

이와 더불어 차세대 메모리와 시스템반도체 분야에도 역량을 투입해 미래 성장동력으로 육성한다는 전략이다.

또 지난해 완공한 경기 이천시 ‘M14 팹’도 복층 팹 가운데 한 개 층만 활용하고 있었지만 나머지 1개 층에 대한 클린룸 공사를 시작해 향후 생산시설로 활용할 방침이다.

SK하이닉스 관계자는 “정보기술(IT) 산업의 성장 둔화와 중국 업체의 등장으로 메모리 업계가 위기를 맞고 있지만 SK하이닉스는 본원적 경쟁력 강화를 통해 올해의 위기를 극복하고 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

정민지 기자 jmj@donga.com