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삼성전자 30nm급 D램 세계 첫 양산 돌입
입력
|
2010-07-22 03:00:00
삼성전자가 세계 최초로 회로선폭이 30nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)급인 D램 양산을 시작했다. 삼성전자는 30나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 이달부터 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다.
이 제품의 데이터 처리속도는 기존 DDR3 D램보다 1.6배 빠르고 전력소비는 50나노급 D램 기반 모듈의 절반 수준이라고 삼성전자는 설명했다.
김선우 기자 sublime@donga.com