メモリー容量が４倍に、三星電子が大容量の「ＣＸＬ・Ｄラム」を開発

三星（サムスン）電子は１０日、次世代Ｄラムに挙げられる「コンピュータエクスプレスリンク」（ＣＸＬ）基盤の５１２ＧＢ（ギガバイト）Ｄラムを開発したと発表した。昨年５月に世界で初めてＣＸＬ基盤のＤラム技術を開発したのに続き、業界で初めて大容量ＣＸＬ・Ｄラムを披露したのだ。

ＣＸＬは、複数のインターフェースを統合することで、高性能コンピューティングシステムに入る中央処理装置（ＣＰＵ）や加速器、保存装置などが互いに直接通信できるように設計された。三星電子が開発したＣＸＬ・Ｄラムは、ＣＰＵの追加増設なしにＤラムの容量を増やすことができ、従来比メモリー容量が４倍向上した。これを適用すれば、サーバー１台当たりのメモリー容量を数十ＴＢ（テラバイト）以上に拡張できると、三星電子は説明した。

三星電子は今月中に、「スケーラブルメモリー開発キット（ＳＭＤＫ）」のアップデートバージョンを、オープンソースで公開する方針だ。開発者たちが、多様な応用環境で、ＣＸＬ・ＤＲＡＭ技術を活用するプログラムを開発するよう支援するためだ。ＳＭＤＫは、従来搭載されたメインメモリとＣＸＬメモリが最適な環境で動作するよう支援するソフトウェア（ＳＷ）開発ツールだ。三星電子の関係者は、「ＣＸＬメモリーソリューションを拡大し、次世代メモリー市場を主導していきたい」と話した。


宋忠炫 balgun@donga.com