ＳＫハイニックスが、１２８段の４ＤＮＡＮＤフラッシュ（写真）を世界で初めて量産する。世界の半導体景気が低迷している中、ＳＫハイニックスが相対的に脆弱なものと評価を受けていたＮＡＮＤ型フラッシュ市場に新製品を出したのだ。半導体の「スーパーサイクル」が折れ、米マイクロンなどの主要企業が減産に乗り出した中、技術力を前面に出して危機を正面突破する狙いがある。
ＳＫハイニックスは、世界初の１２８段１ＴＢ（テラビット）級のＴＬＣ（トリプルレベルセル）４Ｄ・ＮＡＮＤ型フラッシュの開発と量産に乗り出すと、２６日明らかにした。昨年１０月の９６段４Ｄ・ＮＡＮＤ型の開発以来、８カ月ぶりに成し遂げた成果だ。
今年下半期（７～１２月）に量産する１２８段１ＴＢ級ＮＡＮＤ型は、単位面積当たりに最も高く積んだＮＡＮＤ型セル（Ｃｅｌｌl）が３６００億個以上集積されている。ＮＡＮＤ市場の８５％以上を占めているＴＬＣ製品のうち、１ＴＢ級の製品を出したのはＳＫハイニックスが初めてだ。この製品を使用すれば、現在大多数となっている２５６ＧＢ（ギガバイト）、５１２ＧＢのスマートフォンの容量が、２ＴＢ（テラバイト）に大きくなることができる。高集積ＮＡＮＤでＮＡＮＤの数を減らしたため、消費電力が低くなり、スマートフォンの厚さもさらに薄くなる。
ＳＫハイニックスは、既存と同じ４Ｄプラットフォームを活用して製品を開発した。プロセスの最適化を通じて、９６段に比べセル３２段を追加で積みながらも、全体の工程数を５％減らしたのだ。ＳＫハイニックス側は、「１２８段のＮＡＮＤに切り替えたときにつぎ込んだ投資費用は、以前に世代交代につぎ込んだコストより６０％を削減した」とし、「既存の工程プラットフォームをそのまま活用して、８ヶ月ぶりに１２８段の製品を開発したことに意味が大きい」と説明した。
半導体業界はこれまで、Ｄラム中心だったＳＫハイニックスが、大容量、高仕様のＮＡＮＤ型製品を発売して、ＮＡＮＤ市場に積極的に進出できるきっかけになると見ている。ＳＫハイニックスの今年第１四半期（１～３月）の売上のうち約７９％をＤラムが占めている。グローバルＤラム市場でも、三星（サムスン）に次いで２位の座を守っている。しかし、ＮＡＮＤ型フラッシュが占める売上の割合は２０％を満たず、ＮＡＮＤ型分野に多少脆弱であるという指摘を受けてきた。
市場調査機関ＩＨＳマーキットによると、今年第１四半期のＮＡＮＤ市場シェアトップは三星電子（３４.１％）で、２～５位の日本の東芝（１８.１％）、米ウエスタンデジタル（１５.４％）とマイクロン（１２.９％）、ＳＫハイニックス（９.６％）が激しい競争を繰り広げている状況だ。
ＳＫハイニックスは、今回量産を開始した１２８段４Ｄ・ＮＡＮＤ型を下半期から販売し、様々なソリューション製品も次々と発売する計画だ。また、１７６段４Ｄ・ＮＡＮＤ型製品も開発するなど、ＮＡＮＤ事業の競争力を継続的に強化していく方針だ。業界では、今回の製品はクラウドデータセンターに入る企業用ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、大容量のメモリが必要な第５世代（５Ｇ）モバイル通信のスマートフォンの需要を攻略できると見ている。
ＳＫハイニックスのオ・ジョンフンＧＳＭ担当副社長は、「ＳＫハイニックスは１２８段４Ｄ・ＮＡＮＤで、ＮＡＮＤ事業の根源的競争力を確保することになった」としながら、「業界最高の積層、最大容量を実現したこの製品で、顧客が望むさまざまなソリューションをタイムリーに提供したい」と語った。
許桐準 hungry@donga.com
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